上海臨港新片區(qū)發(fā)布了臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025）。這為進一步提升臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)能級，推動更多集成電路產(chǎn)業(yè)資源和創(chuàng)新要素向臨港集聚，建設(shè)世界級的“東方芯港”打下基礎(chǔ)。

規(guī)劃中強調(diào)，上海臨港將在2025年，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1000億元，芯片制造、裝備材料主導(dǎo)地位進一步加強，芯片設(shè)計、封裝測試形成規(guī)?；?。并且著重推進重大項目落地建設(shè)，基本形成新片區(qū)集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地的基礎(chǔ)框架；長遠預(yù)期到2035年，構(gòu)建起高水平產(chǎn)業(yè)生態(tài)，成為具有全球影響力的“東方芯港”。

上海臨港之所以有雄心打造具有全球影響力的“東方芯港”，和我國近幾年持續(xù)推出集成電路產(chǎn)業(yè)利好措施密不可分。在上海臨港這一地方性規(guī)劃發(fā)布之前，我國相繼發(fā)布“鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展”“進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展”“新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展”等多項指導(dǎo)性文件和具體落實文件。

臨港集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢

年前覽富財經(jīng)網(wǎng)曾連發(fā)四篇集成電路行業(yè)概述，認為粵港澳大灣區(qū)有望成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的橋頭堡，以既有產(chǎn)業(yè)規(guī)模而言，這一判斷依舊有效。相比之下，臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)以發(fā)展裝備、材料業(yè)為起點，產(chǎn)業(yè)鏈不斷擴展、完善。

目前，新片區(qū)已引進華大、新昇、格科、聞泰、中微、寒武紀(jì)、地平線等40余家行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，初步形成了覆蓋芯片設(shè)計、特色工藝制造、新型存儲、第三代半導(dǎo)體、封裝測試以及裝備、材料等環(huán)節(jié)的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系。

臨港新片區(qū)為提升產(chǎn)業(yè)承載能力，如今已經(jīng)規(guī)劃布局一批重大平臺，包括：上海國微EDA研發(fā)中心、上海臨港電力電子研究院、上海臨港化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新研究院等。其中EDA工具是此前著重介紹過的集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)工具，可以說沒有EDA工具，高端芯片將無從下手。

眾所周知，集成電路行業(yè)極其突出的特點就是重資本，新片區(qū)為切實支持企業(yè)發(fā)展，集聚了總規(guī)模100億元、首期規(guī)模50.5億元的上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)基金，總規(guī)模100億元、首期規(guī)模20億的上海臨港新片區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)基金，總規(guī)模100億元、首期規(guī)模43.3億元的上海超越摩爾產(chǎn)業(yè)基金，以及總規(guī)模400億元、首期規(guī)模54億元的上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期等，積極引導(dǎo)社會資源投入新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

就目前而言，臨港新片區(qū)以“高端引領(lǐng)、全鏈發(fā)展、創(chuàng)新卓越、跨界融合”為主線，推進具有國內(nèi)最高水平的集成電路制造、裝備材料重大項目落地，帶動設(shè)計、封裝、測試等聚集，在特殊領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，加速上海集成電路產(chǎn)業(yè)由“一體兩翼”（張江為一體，臨港、嘉定為兩翼），向“雙核驅(qū)動”發(fā)展（張江、臨港雙核）

針對集成電路亟需解決的問題

上海臨港新片區(qū)建成后，將積極承擔(dān)國家戰(zhàn)略，追蹤國際先進工藝演進，以發(fā)展先進工藝和特色工藝為兩大重點，打造上海芯片制造新高地。積極對接引進國內(nèi)最先進工藝線放大項目，推進磁存儲器（MRAM）、3DNAND、半浮柵等新型存儲項目落地，提升新片區(qū)芯片制造產(chǎn)業(yè)能級，夯實產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

規(guī)劃中特別強調(diào)要打造國內(nèi)特色工藝生產(chǎn)高地，堅持市場需求與技術(shù)開發(fā)相結(jié)合，推動BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，支持細分領(lǐng)域IDM項目建設(shè)。推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)由國內(nèi)引領(lǐng)向國際領(lǐng)先跨越。推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設(shè)，面向5G、新能源汽車等應(yīng)用場景，加快化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品驗證應(yīng)用。